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FMM6G50US60

Compact & Complex Module

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FAIRCHILD

仙童半导体

FMM6G50US60

Compact & Complex Module

ONSEMI

安森美半导体

Compact & Complex Module

General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short ci

FAIRCHILD

仙童半导体

FMM6G50US60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMM6G50US60

  • 功能描述

    IGBT 模块

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-7-31 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJITSU
2016+
SMT-10
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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模块
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专营模块,继电器,公司原装现货
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20000
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22+
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SOD123
60000
只有原装 可配单
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22+
ISOPLUS i4PAC?
9000
原厂渠道,现货配单

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