位置：首页 > IC中文资料第4122页 > FMG1G75US60H
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FMG1G75US60H | MoldingTypeModule GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)powermodulesprovidelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.Theyaredesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhereshortci | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
FMG1G75US60H | 封装/外壳：7PM-GA 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
MoldingTypeModule GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)powermodulesprovidelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.Theyaredesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhereshortci | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
FMG1G75US60H产品属性
- 类型
描述
- 型号
FMG1G75US60H
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/75A/Module
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-153 |
18314 |
原装正品现货,可开13点税 |
|||
ROHM |
21+ |
99+ |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT153 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ROHM/罗姆 |
23+ |
153 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FAIRCHIL |
23+ |
75A600VI |
120 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-153SOT-23-5 |
12200 |
新进库存/原装 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
7PMGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ROHM/罗姆 |
25+ |
153 |
4982 |
原装正品,假一罚十! |
|||
ROHM |
23+ |
65480 |
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2019-11-19
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