256-Kbit (32K 횞 8) Serial (I2C) F-RAM

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封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：托盘 描述：IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC 集成电路（IC） 存储器

F-RAM（铁电RAM）

256Kb Serial 3V F-RAM Memory

文件：401.43 Kbytes Page：16 Pages

256Kb Serial 3V F-RAM Memory

文件：200.91 Kbytes Page：15 Pages

256Kb Serial 3V F-RAM Memory

文件：341.36 Kbytes Page：16 Pages

F-RAM (Ferroelectric RAM)

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC 集成电路（IC） 存储器

256-Kbit (32K 횞 8) Serial (I2C) F-RAM

文件：1.1268 Mbytes Page：19 Pages

Transient Voltage Suppressors for ESD Protection

Features Protects One Bidirectional I/O Line Low Clamping Voltage Surface mount package. Ultra small SMD package. Stand−off Voltage: 24.0 V Low leakage current 75 Watts Peak Pulse Power per Line (tp=8/20μs) IEC61000-4-5 (LIGHTING) 1.5A (8/20μs) Provides ESD protection to IEC61000-4-2(ESD)

Transient Voltage Suppressors for ESD Protection

Features Moisture Sensitivity Level (MSL-1) AEC-Q101 qualified Ultra small SMD package Protects One Bidirectional I/O Line Low Clamping Voltage Working voltage :24.0V Low leakage current IEC61000-4-5(LIGHTING) 1.5A(8/20μs) IEC61000-4-2(ESD):±15kV (air discharge) ±8kV (contact discharge);