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FLL410IK-4C

L-Band High Power GaAs FET

DESCRIPTION The FLL410IK-4C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is designed for use in 3.4 – 3.7 GHz band amplifiers. This new product is uniquely suited for use in WLL applications as it offers excellent linearity, high efficiency, high gain, long term reliability and ease of use.

FUJITSU

富士通

FLL410IK-4C

L-Band High Power GaAs FET

FUJITSU

富士通

FLL410IK-4C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FLL410IK-4C

  • 制造商

    SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

  • 功能描述

    L-Band High Power GaAs FET(46dBm@3.7GHz), Bulk

更新时间:2026-1-28 11:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
EUDYNA
23+
NA
10000
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FUJITSU/富士通
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2019+
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6992
原厂渠道 可含税出货
FUJITSU/富士通
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