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FJP13009价格

参考价格：￥2.4449

型号：FJP13009H2TU 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有FJP13009多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FJP13009批发/采购报价，FJP13009行情走势销售排行榜，FJP13009报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FJP13009

High Voltage Switch Mode Application

High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor • High Voltage Capability • High Switching Speed • Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

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isc Silicon NPN Power Transistor

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ISC

无锡固电

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封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：TRANS NPN 400V 12A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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高压快速开关 NPN 功率晶体管

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High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

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FJP13009H2TU

High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FJP13009H2TU

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 400V 12A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

FJP13009TU

High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

13009

Series 0517 Pin-Line Vertisocket w/Collet Contacts

FEATURES • Mount components, jumpers, etc., at right angle to PC board • Available in 1 to 25 positions; cuttable to any number desired

ARIES

13009

Bipolar Junction Transistor

FEATURES ● High voltage capability ● Features of good high temperature ● High switching speed APPLICATION Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast、 Computer Switch Power Supply

JINGDAO

晶导

13009

High voltage fast-switching NPN power transistor

Features ■ Low spread of dynamic parameters ■ High voltage capability ■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation ■ Very high switching speed Applications ■ Switch mode power supplies Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology fo

STMICROELECTRONICS

意法半导体

13009

Nytyes® with Stainless Steel Locking Device

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Heyco

13009

Nytyes® with Stainless Steel Locking Device

文件：129.52 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

FJP13009产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FJP13009

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

FJP13009供应商更多...

更新时间：2025-9-28 20:00:00
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