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位置：首页 > IC中文资料第4121页 > FJNS7565BU

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FJNS7565BU

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 10V 5A TO92S 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NDL7565P

InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

NEC

瑞萨

NDL7565P

InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

DESCRIPTION The NDL7565P Series is a 1 550 nm newly developed Multiple Quantum Well (MQW) structure pulsed laser diode module with single mode fiber. It is designed for light source of optical measurement equipment (OTDR). FEATURES • Output power Pf = 8 mW MIN.@IFP = 400 mA, TC = 25 °C*1 • Lon

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FJNS7565BU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FJNS7565BU

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

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更新时间：2026-3-15 15:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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