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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FJN598JBBU

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:散装 描述:JFET N-CH 20V 0.15W TO92 分立半导体产品 晶体管 - JFET

ONSEMI

安森美半导体

Silicon Rectifier Ultra Fast, 600V, 8A

Description: The NTE598 is a silicon rectifier in a 2–Lead TO220 type package designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes. Features: ● Ultrafast 50ns Recovery Time ● 175°C Operating Junction Temperature ● Popular TO220 Package ● Epoxy meets UL94, VO @

NTE

RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

DESCRIPTION The SD1448 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the UHF frequency range including TV Bands IV and V. Gold metallization and emitter ballasting assure high reliability under Class A linear amplifier operation. ■ 860 MHz ■ 25 VOLTS

STMICROELECTRONICS

意法半导体

UHF LINEAR POWER TRANSISTOR

The RF Line UHF Linear Power Transistor Designed for 4.0 watt stages in Band V TV transposer amplifiers. Gold metallized dice and diffused emitter ballast resistors are used to enhance reliability, ruggedness and linearity. • Band IV and V (470–860 MHz) • 4.0 W — Pref @ –60 dB IMD • 25 V — VC

MOTOROLA

摩托罗拉

PULSE-WIDTH-MODULATION CONTROL CIRCUITS

文件:154.94 Kbytes Page:10 Pages

TI

德州仪器

PULSE-WIDTH-MODULATION CONTROL CIRCUITS

文件:154.94 Kbytes Page:10 Pages

TI

德州仪器

FJN598JBBU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FJN598JBBU

  • 功能描述

    JFET Si N-Ch Junction FET

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性

    N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的

  • Idss)

    50 mA 漏源电压

  • VDS

    15 V

  • 漏极连续电流

    50 mA

  • 封装/箱体

    SC-59

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-8-5 10:31:00
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