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FGY75T95SQDT

IGBT - Field Stop, Trench 75 A, 950 V

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ONSEMI

安森美半导体

FGY75T95SQDT

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 950V 75A 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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安森美半导体

IGBT - Field Stop, Trench 75 A, 950 V

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安森美半导体

更新时间:2025-8-17 23:01:00
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