FGP15N60UNDF价格

参考价格:¥7.6403

型号:FGP15N60UNDF 品牌:Fairchild 备注:这里有FGP15N60UNDF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGP15N60UNDF批发/采购报价,FGP15N60UNDF行情走势销售排行榜,FGP15N60UNDF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGP15N60UNDF

600V, 15A Short Circuit Rated IGBT

文件:826.27 Kbytes Page:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGP15N60UNDF

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 30A 178W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

15 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION The UTC15N60 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pu

UTC

友顺

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.0671 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

15A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:185.37 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

High Switching Speed

文件:49.33 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

CoolMOS Power Transistor

文件:543.38 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

FGP15N60UNDF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGP15N60UNDF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 15A NPT IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild(飞兆/仙童)
24+
NA/
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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FAIRCHILD/仙童
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