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FGHL75T65LQDTL4

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 75 A

Description Field stop 4th generation Low VCE(sat) IGBT technology and Full current rated copack Diode technology. Features • Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C • Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(Sat)

ONSEMI

安森美半导体

FGHL75T65LQDTL4

封装/外壳:TO-247-4 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-16 11:20:00
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