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FGHL50T65SQDT

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A

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安森美半导体

FGHL50T65SQDT

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT, 650 V, 50 A FIELD STOP TRE 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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安森美半导体

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

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Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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Hybrid IGBT 50A, 650V

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更新时间:2025-8-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

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