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FGHL50T65LQDTL4

Field Stop Trench IGBT 50 A, 650 V

Field stop 4th generation Low VCE(Sat) IGBT technology and Full current rated copack Diode technology. Features • Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C • Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(Sat) = 1.15 V (Ty

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-16 23:01:00
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