型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGH60N6S2

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.5V@IC= 40A · Low Gate Charge · Low Conduction Loss APPLICATIONS · Solar Converters · Welding Converters · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries

ISC

无锡固电

FGH60N6S2

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 625W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGH60N6S2

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

文件:175.62 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

文件:185.32 Kbytes Page:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGH60N6S2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH60N6S2

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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