FGH50T65UPD价格

参考价格:¥14.4344

型号:FGH50T65UPD 品牌:Fairchild 备注:这里有FGH50T65UPD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGH50T65UPD批发/采购报价,FGH50T65UPD行情走势销售排行榜,FGH50T65UPD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGH50T65UPD

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A

Description Using innovative field stop trench IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field−stop trench IGBTs offer optimum performance for solar inverter, UPS, welder, and digital power generator where low conduction and switching losses are essential. Features • Maximum Junctio

ONSEMI

安森美半导体

FGH50T65UPD

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGH50T65UPD

650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A

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ONSEMI

安森美半导体

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

ONSEMI

安森美半导体

Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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ONSEMI

安森美半导体

Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

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安森美半导体

Hybrid IGBT 50A, 650V

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安森美半导体

FGH50T65UPD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH50T65UPD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 18:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-247
1709
ON
20+
TO-247
300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
600
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
ON
24+
TO-247-3
25000
ON全系列可订货
FAIRCHILD/仙童
24+
TO247
880000
明嘉莱只做原装正品现货
FAIRCHILD/仙童
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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现货,原厂原装假一罚十!
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绝对原装正品全新进口深圳现货
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9500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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23+
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