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FGH40T65SPD-F085

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT NPT 650V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A

General Description Using the novel field stop 3rd generation IGBT technology, FGH40T65SPD−F085 offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications, while provides 50 V higher blocking voltage and rugged high

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安森美半导体

更新时间:2025-8-7 11:00:00
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