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FGH40T65SHDF-F155

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A

Description Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and switching performance and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction hea

ONSEMI

安森美半导体

FGH40T65SHDF-F155

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-7 23:00:00
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