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位置：首页 > IC中文资料第515页 > FGA25N120ANTD

FGA25N120ANTD价格

参考价格：￥10.2975

型号：FGA25N120ANTDTU 品牌：Fairchild 备注：这里有FGA25N120ANTD多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FGA25N120ANTD批发/采购报价，FGA25N120ANTD行情走势销售排行榜，FGA25N120ANTD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGA25N120ANTD

1200V NPT Trench IGBT

Description Using Fairchild®s proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as i

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA25N120ANTD

NPT Trench IGBT

DESCRIPTION · NPT Trench Technology, Positive temperature coefficien · Extremely enhanced avalanche capabilityt · Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.0 V(Typ.) @ IC = 25 A APPLICATIONS ·Solar Inverter, UPS, Welder, Digital Power Generator ·Telecom, ESS

ISC

无锡固电

FGA25N120ANTD

1200V NPT Trench IGBT

文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA25N120

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGA25N120ANTDTU

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

Description Using Fairchild®s proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as i

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA25N120ANTD_07

1200V NPT Trench IGBT

文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA25N120ANTD_F109

1200V NPT Trench IGBT

文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA25N120ANTDTU

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGA25N120ANTDTU

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGA25N120ANTDTU-F109

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 50A 312W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGA25N120ANTDTU-F109

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGA25N120AN

IGBT

General Description Employing NPT technology, Fairchild’s AN series of IGBTs provides low conduction and switching losses. The AN series offers an solution for application such as induction heating (IH), motor control, general purpose inverters and uninterruptible power supplies (UPS).

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

25N120

Low VCE(sat) High speed IGBT

Low VCE(sat) High speed IGBT Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • 2nd generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC

IXYS

DTGN25N120

Extremely enhanced avalanche capability

General Description Din-Tek Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES ·High speed switching ·High ruggedness,

DINTEK

BRG25N120D

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

文件：769.42 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

FGA25N120ANTD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGA25N120ANTD

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    IGBT TO-3P TUBE 30

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    IGBT NPT 1200V 50A TO-3PN

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    IGBT, NPT, 1200V, 50A, TO-3PN

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    IGBT, NPT, 1200V, 50A, TO-3PN, Transistor

  • Type

    IGBT, DC Collector

  • Current

    50A, C

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    IGBT,NPT,TO-3PN, Transistor

  • Type

    IGBT, DC Collector

  • Current

    50A, Collector Emitter Voltage

  • Vces

    2.5V, Power Dissipation

  • Pd

    312W, Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo

    1.2kV, Operating Temperature

  • Range

    -55C to +150C, Transistor Case , RoHS

  • Compliant

    Yes

FGA25N120ANTD供应商更多...

更新时间：2025-8-13 15:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市昊创电子有限公司
FGA25N120ANTD
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TO-247
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