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位置：首页 > IC中文资料第3206页 > FGA20S120M

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGA20S120M

1200V,20AShorted-AnodeIGBT

文件：795.07 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGA20S120M

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 40A 348W TO3PN 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FS20S120CT

20.0AmpereSurfaceMountDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers

Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI
20S120FA

20.0AmpereInsulatedDualCommonCathodeSuperFastRecoveryRectifiers

文件：280.28 Kbytes Page：2 Pages

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI
CS20S120CT

SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier

文件：468.12 Kbytes Page：3 Pages

CSF20S120CT

SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier

文件：481.51 Kbytes Page：3 Pages

FGA20S120M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGA20S120M

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 20A SA FS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

FGA20S120M供应商更多...

更新时间：2024-6-22 17:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-3P
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    650VTO-247-4IGBT晶体管,4.5kVIGBT晶体管,650VTO-247IGBT晶体管,1200VSi300AIGBT晶体管,650VSi100AIGBTTransistorsIGBT晶体管,600VSingleThroughHole40AIGBT晶体管

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