位置：首页 > IC中文资料第3206页 > FGA20S120M
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FGA20S120M | 1200V, 20A Shorted-Anode IGBT 文件：795.07 Kbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 |   | |
FGA20S120M | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 40A 348W TO3PN 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FGA20S120M | 1200V, 20A Shorted-Anode IGBT | ONSEMI 安森美半导体 | | |
20.0 Ampere Surface Mount Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
20.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Super Fast Recovery Rectifiers 文件：280.28 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：468.12 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：481.51 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | |
FGA20S120M产品属性
- 类型
描述
- 型号
FGA20S120M
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 20A SA FS
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
仙童正品 |
23+ |
TO-3PN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FSC |
23+24 |
TO-247 |
28950 |
原装现货.优势热卖.终端BOM表可配单 |
|||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO3P |
60000 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
45000 |
FAIRCHILD/仙童全新现货FGA20S120M即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
FSC |
23+ |
TO-3P |
256 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1709 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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2020-6-29
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