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FGA15N120ANTDTU-F109

1200 V, 15 A NPT Trench IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

FGA15N120ANTDTU-F109

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-7 23:00:00
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