型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FF300R12M

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION ·Short Circuit Rated> 10μs ·Low Switching Loss ·Low Stray Inductance ·Copper Wire Bonding on Power Terminal ·Lead Free, Compliant with RoHS Requirement APPLICATIONS ·Hybrid Electrical Vehicles(H)EV ·Automotive Applications ·Commercial Agriculture Vehicles ·Motor Drives

ISC

无锡固电

EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode

文件:299.55 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL Modul mit Trench

文件:486.16 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL Modul mit Trench

文件:486.16 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC

文件:510.45 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件:611.43 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

IGBT模块

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件:611.43 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件:693.33 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC

文件:556.41 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

IGBT模块

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件:693.33 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

封装/外壳:模块 包装:托盘 描述:IGBT MOD 1200V 450A 1600W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

IGBT模块

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 Modul mit Trench

文件:580.34 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL?? module with TRENCHSTOP?줚GBT7 and Emitter Controlled 7 diode and NTC

文件:602.95 Kbytes Page:15 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency

文件:297.96 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten

文件:497.39 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

EconoDUAL3 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten

文件:497.39 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

FF300R12M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FF300R12M

  • 功能描述

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 500A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-9-28 10:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
Infineon Technologies
25+
30000
原装现货,支持实单
INF
2023+
TOP
6893
专注全新正品,优势现货供应
Infineon(英飞凌)
21+
4
原装现货,假一罚十
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
INFINEON/英飞凌
23+
IGBT
50000
全新原装正品现货,支持订货
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
INFINEON/英飞凌
24+
MODULE
200
只做原装,欢迎询价,量大价优
INFINEON
24+
NA
1200
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718

FF300R12M数据表相关新闻