FF100R12RT4中文资料

功能描述:IGBT 模块 IGBT Module w/ IGBT & Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FF100R12RT4

34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

InfineonInfineon Technologies

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
FF100R12RT4

34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

InfineonInfineon Technologies

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模块

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MICROCHIP
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INFINEON
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原厂正品

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更新时间:2021-5-11 19:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FF100R12RT4
INFINEON
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IGBT
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20年老字号,原装优势长期供货
FF100R12RT4
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原装正品现货,一站式终端物料配单

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