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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FF100R12RT4 | 英飞凌IGBT模块FF100R12RT4 文件：476.494 Kbytes Page：9 Pages |  |   | |
FF100R12RT4 | 34mmModulewithfastTrench/FeldstoppIGBT4andEmitterControlled4diode 文件：466.39 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
FF100R12RT4 | 34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 文件：593.07 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 文件：593.07 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
封装/外壳：模块 包装：管件 描述：IGBT MOD 1200V 100A 555W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
FF100R12RT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
FF100R12RT4
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT Module w/ IGBT & Diode
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
2721 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
模块 |
1030 |
全新原装模块特价销售 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
Infineon |
21+ |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
||||
Infineon/英飞凌 |
1950+ |
980 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
||||
INF |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54285 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
19+ |
MODULE |
200 |
原装现货支持BOM配单服务 |
|||
INFINEON |
23+ |
MODULE |
845 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
模块 |
500 |
全新原装现货,价格优势 |
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