N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，2A，236mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 2 A时，最大rDS(on) = 236 mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 1.7 A时，最大rDS(on) = 329 mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 2 A, 236 m廓

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，2A，228mΩ

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体的高级 PowerTrench® 工艺生产，该工艺专为实现 rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 • 最大 rDS(on) = 228 mΩ（VGS = 10 V、ID = 2 A）\n• 最大 rDS(on) = 280 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 1.8 A）\n• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率、高处理能力、采用广泛使用的表面贴装封装\n•快速开关速度\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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