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FDT86106LZ价格
参考价格：￥2.9108
型号：FDT86106LZ 品牌：Fairchild 备注：这里有FDT86106LZ多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDT86106LZ批发/采购报价，FDT86106LZ行情走势销售排行榜，FDT86106LZ报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDT86106LZ | N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 m Ohm 文件：360.14 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 |   | |
FDT86106LZ | N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.2A，108mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Application LED Backlighting Synchronous Rectifiers for SMPS o Power management « PWM Application | TECHPUBLIC 台舟电子 | | ||
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m廓 文件：278.67 Kbytes Page：7 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m廓 文件：323.89 Kbytes Page：7 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 3.4 A, 105 m廓 文件：262.81 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FDT86106LZ产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDT86106LZ
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
56000 |
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SOT-223 |
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SOT223 |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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www.jskj-ic.com
2021-9-17FDS8984
FDS8984，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-10FDS6990AS公司原装现货/随时可以发货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-4-14FDS6990A公司原装现货/随时可以发货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-4-14
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