N 沟道增强型场效应晶体管 30V，5A，60mΩ

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。 此类产品非常适合低电压、低电流应用，例如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。 •5 A，30 V。 RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V\n•高密度设计可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装;

N-Channel MOSFET

文件：176.49 Kbytes Page：4 Pages

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：94.5 Kbytes Page：4 Pages

HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS

High Speed Response Type OPIC Light Detector

■ Features 1. High speed response type (t PHL: TYP. 300ns) 2. Pattern with semiconductor laser spot positional deviation taken into consideration (Detector size : 0.5mm x 3.0mm ) 3. Open collector output 4. Angle adjustment by means of outer mounting resistance ■ Applications 1. Laser beam

Silicon N-Channel JFET Transistor General Purpose Amp, Switch

Silicon N–Channel JFET Transistor General Purpose Amp, Switch

PNP NPN Darlington H-bridge

PNP + NPN Darlington H-bridge

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES * 300 Volt VCEO * 0.5 Amp continuous current * Ptot= 1 Watt