N 沟道逻辑电平门极双 MOSFET 60V，3.3A，132mΩ

与传统功率MOSFET相比，这种双N沟道MOSFET提供了新增的功能。 这些功能有： 1. 一个漏极至源极的电压反馈信号。2. 以前需要外部分立式电路的栅极驱动禁用控制功能。 在MOSFET中包含这些功能可以节省印刷电路板空间。 漏极-源极电压反馈功能可在漏极-源极电压高于62V的情况下提供5V的电平输出。 这样可以监控感性负载耗散其存储能量所花费的时间。 可通过“OR'd”接线方式将多个反馈信号一起连接到单个监控电路输入。 通过栅极禁用功能可以独立于栅极中的驱动信号来关闭器件。 此功能使得第二个控制电路能够在必要情况下禁用负载。 也可以通过“OR'd”方式接线，这样即可利用单个开路集电极/漏 •62V，132m，5V逻辑电平栅极双MOSFET，采用SO-8封装 可通过\"OR'd\"接线方式将多个器件连接到单个监控电路输入。\n•栅极驱动禁用输入。 可利用单个禁用晶体管来控制多个器件。\n•符合 AEC Q101 标准\n•Qualified to AEC Q101;

N-Channel Dual MOSFET

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MICROWAVE POWER GaAs FET?

DESCRIPTION The MGF2407A, power GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in S to Ku band amplifiers. APPLICATION S to Ku band power amplifiers.

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