丝印代码：FDS8984；30V Dual N-Channel MOSFET

Features Low gate charge VDS (V) = 30V ID = 7A (VGS = 10V) RDS(ON)

丝印代码：FDS8984；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 7A, 23m廓

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，7A，23mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 •最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 10 V、ID = 7 A 时）\n•最大 rDS(on) = 30 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 6 A 时）\n•低栅极电荷\n•100% 经过 RG测试\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel PowerTrench MOSFET

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N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 7A, 23mOhm

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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N-Channel PowerTrench MOSFET

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30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 •最大 rDS(ON) = 23 mΩ、VGS = 10 V、ID = 7 A\n•VGS = 4.5V，ID = 6A时，最大rDS(on) = 30mΩ\n•低栅极电荷\n•100%经过RG测试\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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N-Channel PowerTrench MOSFET

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N-Channel PowerTrench MOSFET

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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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Starter Saver

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CCD area image sensor Front-illuminated FFT-CCDs for X-ray imaging

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