双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管

这些双通道N沟道和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑功率管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。 • N沟道5.5 A，30 V\n•RDS(ON)=0.030 Ω @ VGS=4.5 V\n•高密度设计可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•表面贴装封装中的双（N和P沟道）MOSFET ;

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These dual N- and P -Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching perf

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Power stage 2 x 10 or 1 x 20 W class-D audio amplifie

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Power stage 2 x 10 or 1 x 20 W class-D audio amplifie

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