丝印代码：FDS8449；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 7.6A, 29m廓

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40V N 沟道 PowerTrench® MOSFET 7.6A，29mΩ

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •7.6 A，40V\n•RDS(on) = 29mΩ @ VGS = 10V\n•RDS(on) = 36mΩ @ VGS = 4.5V\n•高功率处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•符合RoHS标准;

40V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description These N-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features • 7.6 A, 40V RDS(on) = 29mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 36m

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，7.6A，29mΩ

这些 N 沟道 MOSFET 采用飞兆进的 PowerTrench 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •7.6 A、40 V RDS(on) = 29 mΩ (VGS = 10 V)\n•7.6 A, 40V RDS(on) = 36mΩ @ VGS = 4.5V\n• Typical Qg(TOT) = 7.7 nC at VGS = 5 V, ID = 7.6 A\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101;

AXL E PN DI8 DO4 2A M12 6P

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LAN 10/100 Base-T Single Port Transformer Module

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10/100 BASE-T Single Port Transformer Module

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QUAD POWER OP. AMP

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