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FDS6064N7

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(O

Fairchild

仙童半导体

FDS6064N7

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FDS6064N7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDS6064N7

  • 功能描述

    MOSFET SO-8 N-CH 20V 23A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 12:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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