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FDP2710-F085

ChannelPowerTrench®MOSFET250V,50A,47mΩ

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingONSemi-conductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features -TyprDS(on)=38mΩatVGS=10V,ID=50A -TypQg(TOT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-7-29 21:34:00
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