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iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：328.37 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,58A,16m? 文件：267.52 Kbytes Page：11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET75V,50A,16m? 文件：242.77 Kbytes Page：11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
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承若只做进口原装正品假一赔十! |
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