N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，7.0A，23mΩ

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 •rDS(on)最大值 = 23 mΩ ，需 VGS = 10 V、ID = 7.0 A\n•rDS(on)最大值 = 33 mΩ ，需 VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

nullDual N-Channel Power Trench짰 MOSFETTM 25 V, 7.0 A, 23 m廓

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20 mm (0.8 inch) Seven Segment Displays

Description The 20 mm (0.8 inch) LED seven segment displays are designed for viewing distances up to 10 metres (33 feet). These devices use an industry standard size package and pinout. All devices are available as either common anode or common cathode. These displays are ideal for most applicat

LM2900/LM3900/LM3301 Quad Amplifiers

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Silicon planar type

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Silicon planar type

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Silicon planar type

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