Max rDS(on) = 90 m廓 at VGS = -4.5 V, ID = -2.9 A

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封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途

集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和 BJT，-30V，-2.9A，90mΩ

1430 Series – IEC Class I DC Surge Protective Device

Features n High energy MOV technology with Thermal Disconnector n Status indicator n Replaceable modular design n For Common Mode and Differential Mode protection n Remote signaling capability n IEC/EN 61643-31 compliant Class I + Class II / T1+T2 SPD n With 80 kA Imax (8/20 μs) and 12.5

Escudo NEO PIXEL para Arduino.

Descripción: este escudo es una matriz LED de 5x8 donde cada pixel es controlable individualmente si así se desea. Todo el control es a través de un solo pin. Aplicación: •ElaboracióndeproyectosdeArduino.

Rugged injection molded connector

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ALUMINUM CHASSIS

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N-Channel 30-V MOSFET

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