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FDI036N10A

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID = 214A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.6mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 214A, 3.6m廓

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-11-1 8:14:00
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  • FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    2021-11-3
  • FDG6317NZ

    FDG6317NZ

    2021-11-2
  • FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    2021-9-14
  • FDMC6675

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-23