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Dual N-Channel, Digital FET

Features • 25 V, 0.22 A Continuous, 0.65 A Peak • RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V, • RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V. • Very Low Level Gate Drive Requirements allowing Directop− Eration in 3 V Circuits (VGS(th) 6 kV Human Body Model) • Compact Indu

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-10-28 23:00:01
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