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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDFC3N108 | N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, providing a compact power solution for battery power management and DC/DC converter applications. | Fairchild 仙童半导体 |   | |
FDFC3N108 | N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode 文件：104.45 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
FDFC3N108 | N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode 文件：360.06 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
FDFC3N108 | N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode | ONSEMI 安森美半导体 | | |
N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode 文件：104.45 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode 文件：360.06 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
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3.3V Differential 1:8 Fanout Clock Data Driver 文件：156.58 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
FDFC3N108产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDFC3N108
- 功能描述
MOSFET 20V N-Ch 1.8V Spec PowerTrench
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
|||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FSC |
24+ |
NA |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
SOT236 Thin TSOT236 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
DIODES/美台 |
2450+ |
SOD123 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
PANASONIC/松下 |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
FAIRCHILD |
23+ |
SOT-163 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
端子 |
2022+ |
800 |
只做原装，可提供样品 |
||||
KST/台湾健和兴 |
2407+ |
con |
10750 |
只有原装!量大可以订!一片起卖! |
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