双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V

这些双 N 和 P 沟道增强模式功率 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ\n• P-Channel: -40V, -20A, 54mΩ\n• Q1： N 沟道\n• 最大值 RDS(on) = 24 mΩ（VGS = 10 V、ID = 9.0 A）\n• 最大值 RDS(on) = 30mΩ（VGS = 4.5V, ID = 7.0A）Q2： P 沟道\n• Q2: P-Channel\n• 最大值 RDS(on) = 54 mΩ（VGS = -10 V、ID = -6.5 A）\n• 最大值 RDS(on) = 70 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A）\n• 快速开关\n• 符合RoH;

Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 mΩ、DPAK（4 引脚）N 沟道和 P 沟道 PowerTrench®

这些双 N 沟道和 P 沟道增强模式功率 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ\nP-Channel: -40V, -20A, 54mΩ\nQ1： N 沟道\n 最大 rDS(on) = 24 mΩ（需 VGS = 10 V、ID = 9.0 A）\n 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = 4.5 V、ID = 7.0 A）Q2： P 沟道\nQ2: P-Channel\n 最大 rDS(on) = 54 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -6.5 A）\n 最大 rDS(on) = 70 mΩ（需 VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A）\n 快速开关速度\n 符合 AEC Q101;

Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m廓 P-Channel: -40V, -20A, 54m廓

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Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m廓 P-Channel: -40V, -20A, 54m廓

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Fast high-voltage soft-recovery rectifiers

DESCRIPTION Rugged glass package, using a high temperature alloyed construction. This package is hermetically sealed and fatigue free as coefficients of expansion of all used parts are matched. The package is designed to be used in an insulating medium such as resin, oil or SF6 gas. FEATURES

CHOKE Current Compensated Chokes

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N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

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3 PHASE HALL MOTOR DRIVER IC

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