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30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ·–40A,–30V.RDS(ON)=20

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=-30V,ID=-30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.02648 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

ANDgate

文件:72.83 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托公司德国FESTO费斯托(中国)有限公司

FESTO

10/100Base-TSinglePort

文件:387.34 Kbytes Page:1 Pages

APITECH

API Technologies Corp

APITECH
更新时间:2024-9-22 23:00:01
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