型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDB8876

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=121A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =4.7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

FDB8876

N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 71A, 8.5mOhm

ONSEMI

安森美半导体

FDB8876

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 71A, 8.5mOhm

文件:299.5 Kbytes Page:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SpaceMaker™, 5 C #20 Str TC, PO Ins, OS, PVC Jkt, AWM 2937

Product Description SpaceMaker™, 5 Conductor 20AWG (26x34) Tinned Copper, PO Insulation, Overall Beldfoil® Shield, PVC Outer Jacket, AWM 2937

BELDEN

百通

1.6X LINEAR FAN DRIVER WITH VOUT FULLY ON CONTROL

文件:453.82 Kbytes Page:10 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

1.6X LINEAR FAN DRIVER WITH VOUT FULLY ON CONTROL

文件:453.82 Kbytes Page:10 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

1.6X LINEAR FAN DRIVER WITH VOUT FULLY ON CONTROL

文件:453.82 Kbytes Page:10 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Output Coupling Capacitor-less Line Amplifier

文件:1.11174 Mbytes Page:24 Pages

ROHM

罗姆

FDB8876产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB8876

  • 功能描述

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-24 8:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
21+
TO-263
1600
原装现货假一赔十
FSC
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FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童
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原装正品,假一罚十!
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30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
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8000
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TO-263(D2PAK)
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原包装原封 □□
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onsemi(安森美)
24+
TO-263
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

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