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FDB2532-F085

MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH 150 V, 79 A, 16 m

Features • RDS(ON) = 14 m (Typ.), VGS = 10 V, ID = 33 A • Qg (tot) = 82 nC (Typ.), VGS = 10 V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applicatio

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-7 22:58:00
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