型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDB24AN06LA0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FDB24AN06LA0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,36A,24mohm

文件:248.21 Kbytes Page:11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

NCHANNELLOGICLEVELPOWERTRENCHMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,36A,24mohm

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDB24AN06LA0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB24AN06LA0

  • 功能描述

    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
22500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FAIRCHILD
2016+
TO-263
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
FAIRCHILD
23+
NA
786
专做原装正品,假一罚百!
FAIRCILD
22+
TO-263
8000
原装正品支持实单
FAIRCHILD
08+(pbfree)
TO-263(D2PAK)
8866
FAIRCHILD/仙童
TO-263(D2PAK)
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
onsemi(安森美)
23+
TO-263
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
FAIRCHILD
23+
TO-263(D2
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!

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