型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDB24AN06LA0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FDB24AN06LA0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,36A,24mohm

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

NCHANNELLOGICLEVELPOWERTRENCHMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,36A,24mohm

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDB24AN06LA0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB24AN06LA0

  • 功能描述

    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-5 11:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHI
23+
TO-263
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
FAIRCHILD
05+
原厂原装
5270
只做全新原装真实现货供应
FAIRCHILD
2016+
TO-263
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
20000
保证原装正品,假一陪十
FAIRCHILD
21+
TO-263
409
原装现货假一赔十
N/A
23+
原厂标准封装
8000
只做原装现货
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
FAIRCHILD/仙童
2447
D2PAK
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD
24+
TO-263(D2PAK)
8866

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