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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,45A,20m? 文件:609.14 Kbytes Page:11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | |||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.02Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
N-ChannelPowerTrenchMOSFET 文件:608.46 Kbytes Page:11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |
FDB20AN06A0_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDB20AN06A0_Q
- 功能描述
MOSFET N-Channel PT 6V 45A 2 mOhm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
697 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-263 |
1500 |
原装正品,假一罚十! |
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FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-263 |
215 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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FSC |
25+23+ |
TO-263 |
27912 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
215 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-252 |
36800 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
FDB20AN06A0_Q规格书下载地址
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2021-5-20
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