型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,62A,13.5mohm

N-ChannelPowerTrench®MOSFET60V,62A,13.5mΩ Features •rDS(ON)=11.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=62A •Qg(tot)=22nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •Mot

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDB13AN06A0_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB13AN06A0_Q

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-9 22:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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