FDB12N50FTM_WS价格

参考价格:¥3.9850

型号:FDB12N50FTM_WS 品牌:Fairchild 备注:这里有FDB12N50FTM_WS多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDB12N50FTM_WS批发/采购报价,FDB12N50FTM_WS行情走势销售排行榜,FDB12N50FTM_WS报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

12 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 12N50 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanch

UTC

友顺

Fast Switching

• FEATURES • Drain Current ID= 12A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) • Fast Switching •APPLICATIONS •Switch mode power supply.

ISC

无锡固电

Power MOSFETs

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

12A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:167.59 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.039369 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FDB12N50FTM_WS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB12N50FTM_WS

  • 功能描述

    MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-28 9:22:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
I
25+
FET
880000
明嘉莱只做原装正品现货
FUJ
23+24
TO220F
16790
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC
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ON/安森美
2410+
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