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位置：首页 > IC中文资料 > FDB110N15A

FDB110N15A价格

参考价格：￥9.4174

型号：FDB110N15A 品牌：Fairchild 备注：这里有FDB110N15A多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDB110N15A批发/采购报价，FDB110N15A行情走势销售排行榜，FDB110N15A报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDB110N15A

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，92A，11mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 9.25mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 92A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 47nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB110N15A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150 V, 92 A, 11 m廓

文件：242.89 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB110N15A

NCP4306 Synchronous Rectification Evaluation Board Users Manual

文件：524.59 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDB110N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：247.46 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

FIR110N15ANG

丝印代码：FIR110N15AN；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件：4.19027 Mbytes Page：7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

HMS110N15

丝印代码：HMS110N15；N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件：527.31 Kbytes Page：7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

FDB110N15A产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    150

  • VGS Max (V)：

    DC

  • VGS(th) Max (V)：

    4

  • ID Max (A)：

    92

  • PD Max (W)：

    234

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    11

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    11

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    47

  • Ciss Typ (pF)：

    3390

  • Package Type：

    D2PAK-3/TO-263-2

FDB110N15A供应商更多...

更新时间：2026-7-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
FDB110N15A
onsemi
25+
N/A
4658
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深圳市安富世纪电子有限公司
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TO-263
653
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深圳市星源辉科技有限公司
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SC70-3
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深圳市芯球通科技有限公司
FDB110N15A
ON(安森美)
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D2PAK
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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TO-263
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深圳市创新迹电子有限公司
FDB110N15A
FAIRCHILD
22+
TO-263
20000
公司只做原装 品质保障
询价

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