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FCX555TA价格

参考价格:¥1.0769

型号:FCX555TA 品牌:Diodes 备注:这里有FCX555TA多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FCX555TA批发/采购报价,FCX555TA行情走势销售排行榜,FCX555TA报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FCX555TA

180V High voltage PNP switching transistor in SOT89

Description Packaged in the SOT89 outline this new high gain medium power PNP transistor offers 180V forward blocking capability making it ideal for use in VOIC and various driving and power management functions. Features • 180 volts forward blocking Applications • Voice over internet protoco

ZETEX

FCX555TA

180V High voltage PNP switching transistor in SOT89

Features • BVCEO > -150V • BVCEV > -180V • IC = -700mA high Continuous Collector Current • Low saturation voltage VCE(sat)

DIODES

美台半导体

FCX555TA

封装/外壳:TO-243AA 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS PNP 180V 0.7A SOT89-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

DIODES

美台半导体

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range. • Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) Efficiency 60 (Typ) • Cost Effective PowerMac

MOTOROLA

摩托罗拉

TIMER

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NJRC

日本无线

TIMER

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日本无线

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日本无线

FCX555TA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FCX555TA

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 180V H-Voltage PNP Switching Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-3-18 8:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
23+
SOT-89
12700
买原装认准中赛美
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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保证进口原装可开17%增值税发票
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