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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■30V,197A,RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

SchottkyBarrierDiode

FEATURES *TO-220ABCase *FullyMolded *DualDiodes–CathodeCommon *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

NIEC

SMDRELAYSWITH8GHzCAPABILITIES

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NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下电器松下电器机电(中国)有限公司

NAIS

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松下电器松下电器机电(中国)有限公司

NAIS
更新时间:2025-8-4 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NIEC英达
24+
NA/
3540
原装现货,当天可交货,原型号开票
NIEC英达
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TO220F-3
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