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FCP850N80Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

FCP850N80Z

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,6 A,850 mΩ,TO-220

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

更新时间:2025-9-29 22:59:00
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
FAIRCHILD/仙童
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郑重承诺只做原装进口现货

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