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FCP165N65S3	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
NTP165N65S3H	MOSFET - Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FAST 文件：230.78 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTPF165N65S3H	MOSFET - Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FAST 650 V, 165 m, 19 A 文件：218.77 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-10-28 9:54:01

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