位置:首页 > IC中文资料 > FCH165N65S3R0
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FCH165N65S3R0 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 | ||
FCH165N65S3R0 | MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 文件:435.83 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 文件:435.83 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 | |||
MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 19 A, 165 m 文件:392.96 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 19 A, 165 m 文件:327.02 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
69 |
原装正品,假一罚十! |
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ON |
21+ |
TO-247 |
450 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON |
2450+ |
TO-3P |
9850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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ON |
24+ |
TO-247-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
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ON |
23+ |
TSSOP |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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NICE |
23+ |
TO-220F |
15000 |
专做原装正品,假一罚百! |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOIC-16 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
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ON |
23+ |
20 |
正规渠道,只有原装! |
||||
NIEC |
24+ |
40000 |
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2024-2-26FCB110N65F ;TO263正品货源供应商报价中文资料。
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2021-10-20FCI连接器10120667-301LF原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729
2019-12-11FCI连接器61082-121602LF公司优势库存
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2019-12-11FCBS0550-智能功率模块(SPM)
一般描述 它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204(SPM27- BA的包) •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15
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